TFT-LCD技術已經成熟，長期困擾液晶平闆顯示器的三大難題：視角
、色飽和度、亮度已經獲得解決。採(cǎi)用多區域垂直排列模式（MVA模式）和面内切換模式（IPS模式）使液晶平闆顯示的水平視角都達到瞭(le)170度。MVA模式還使響應時間縮短到20ms。

　　(a) TN+Film

　　從(cóng)技術角度來看
，TN+Film解決方案是最簡單的一種，TFT顯示器制造商将過去用於(yú)老式LCD顯示器的扭曲向列（TN:Twisted Nematic）技術
，同TFT技術相結合，從而有瞭(le)TN+Film技術。這項技術主要就是通過顯示屏覆蓋一層(céng)特殊的薄膜，來擴大可視角度——可以把可視角度從90度擴大到大約140度。如圖6所示：TN+Film同标準TFT顯示器一樣都是通過排列液晶分子來實現對圖象的控制，它在上表面覆蓋一層(céng)薄膜來增大可視角度。

　　不過TFT顯示器相對弱的對比度和緩慢的反應時間這些缺點仍然沒有改變。所以TN+Film這種方式並(bìng)不是做好的解決方案，除瞭(le)它的造價最便宜之外沒有任何可取之處。

　　(b)IPS（In-Plane Switching）

　　IPS就是In-Plane Switching的簡稱(chēng)，意思就是平闆開關，又稱(chēng)爲Super TFT。最早由Hitachi(日立)開發，現在NEC和Nokia也使用此項技術制成顯示器。這項技術同扭曲向列顯示器（TN-Film）的不同就在於(yú)液晶分子相對於(yú)基本排列方式不同，如圖7，當加上電壓之後液晶分子與基闆平行排列。

　　採用這項技術的顯示器的可視角度達到瞭(le)170度
，已經同陰極射線管的可視角度相當瞭(le)，不過這項技術也有缺點：爲瞭(le)能讓液晶分子平行排列，電極不能象扭曲向列顯示器（TN-Film）一樣，在兩層基闆上都有，隻能放在低層的基闆上——這樣導緻的直接結果就是顯示器的亮度和對比度明顯的下降，爲瞭(le)提高亮度和對比度
，隻有增強背光光源的亮度。這樣一來，反應時間和對比度相對於(yú)普通TFT顯示器而言更難提高瞭(le)。所以這項技術似乎也不是最好的解決方案。

　　（C）MVA(Multi-Domain Vertical Alignment)

　　MVA多區域垂直排列技術，是由日本富士通（Fujitsu）公司開發的，單從(cóng)技術的角度看，它兼顧瞭(le)可視角度和反應時間兩個方面。找到瞭(le)一個折中的解決方法。MVA技術使得可視角達到瞭(le)160度—— 雖然不如IPS能達到的170度的可視角度，不過它`仍然是好的，因爲這項技術能夠提供更好的對比度和更短的反應時間。

　　MVA中的M代指“multi-domains” —— 多區域的意思。圖8所示，那些紫色的突起（protrusion）構成瞭(le)所謂的區域。富士通目前生産(chǎn)的MAV顯示器中一般就有這樣4個區域。

　　VA是“vertical alignment”的簡稱，意爲垂直排列。不過單從字面上看會産生一些誤解，因爲液晶分子並(bìng)不是如圖所示的“突起”（protrusion）完全垂直。請看圖8所示黑色示意圖。當電壓生成一個電場時，液晶分子如圖相互平行排列
，這樣背光光源就能穿過，而且能将光線向各個方向發散，從而擴大瞭(le)可視角度。

　　另外，MVA還提供瞭(le)比IPS和TN+Film技術都快的反應時間，這對於取得良好的視頻回收和殘視覺效果都是非常重要的。MVA液晶顯示器的對比度也有所提高，不過同樣也會随著(zhe)可視度的變換而變化。

　　在採(cǎi)用光學補償彎曲技術（OCB）的基礎上發展起來的場序列全彩色（FSFC）LCD技術不僅取消瞭(le)占成本三分之一的彩色濾光膜（CF），還可使分辨率提高3倍，透過率提高5倍，同時簡化瞭(le)工藝
，降低瞭(le)成本。彩膜技術和背光源技術的發展使TFT-LCD的彩色再現能力達到甚至超過瞭(le)CRT。作爲商品顯示器TFT-LCD的主要技術指标綜合性能在各類顯示器件中是最優秀的
，特别是TFT-LCD産品的大規模生産技術的完善，多品種、多系列的産品發展空間，應用範圍無所不至 。最近韓國三星電子已經生産出瞭(le)38英寸單一基闆的TFT-LCD液晶電視和40英寸TFT-LCD顯示器，以其優良的性能向公認的應爲PDP霸占的大尺寸彩電市場進軍。

　　LCD是所有顯示器中耗電(diàn)最低的産(chǎn)品，以13.3英寸XGA TFT-LCD爲例，其功耗1998年爲4.4瓦，1999年爲3.3瓦，到2001年将小於(yú)2.5瓦，特别是反射型TFT-LCD的研制成功，由於(yú)取消瞭(le)背光源，其功耗比透射式TFT-LCD低瞭(le)一個數量級。同時由於(yú)幾改進，低溫激光退火多晶矽（P-Si）技術成熟，以至最近發展起來的單晶矽技術使得TFT-LCD的響應速度更快，電路集成化水平更高，鎖相環技術的應用，一種功能更新，更全的周邊電路的採用，系統集成（System on glass）技術的發展，使得TFT-LCD更輕、更薄。13.3英寸TFT-LCD其厚度在1998年爲7.2mm，1999年爲5.5mm，2001年降到5mm以下，其重量1998年爲580克，1999年爲450克，到2001年降到400克以下。ＴＦＴ-ＬＣＤ的大生産技術也已成熟，已實現全自動生産，其第五代生産線在2002年将進入實用生産階段，生産成本将不斷下降。TFT-LCD在技術上的成熟與進步以及其特有的性能優勢確(què)定瞭(le)TFT-LCD最終取代CRT的格局。